BJT-Transistor-Vorspannungsrechner

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Geben Sie Ihre Werte ein:

Basis-Bias-Typ:
Volt


Rb = Basiswiderstand
Vin = Eingangsspannung
Rc = Kollektorwiderstand
Re = Emitterwiderstand
Vs = Versorgungsspannung
Vc = Kollektorspannung
Ve = Emitterspannung
Vb = Basisspannung
`I_b=[V_i n-Base t o Emitter Drop]/[R_b+Curren t gai n×R_e] `
Ic = Kollektorverstärkung x Ib
Ve = IC x Re
Vb = Ve x Basis-Emitter-Abfall
Vc = Vs - IC x Rc
Wenn (Vc < Ve), dann,
`V_e=[V_s×R_e]/[R_e+R_c] `
Vc = Ve
Vb = Ve + Basis-Emitter-Abfall
`I_c=V_s/[R_e+R_c] `

Basiswiderstand (Rb):
K Ohms
Eingangsspannung(Vin):
Volts
Sammlerwiderstand (Rc):
K ohms
Emitterwiderstand (Re):
K ohms
Versorgungsspannung (Vs):
Volts
Aktueller Gewinn:
Basis-Emitter-Abfall:
Volts

Ergebnis:

Kollektorspannung (Vc):
Volts
Emitterspannung (Ve):
Volts
Basisspannung (Vb):
Volts
Kollektorspannung (Ic):
mA
Basisspannung (Ib):
mA
BJT-Transistor-Biasing-Rechner

Ein Bipolar Junction Transistor (BJT) wurde im Dezember 1947 in den Bell Telephone Laboratories von John Bardeen und Walter Brattain unter der Leitung von William Shockley erfunden.

Ein Bipolar-Junction-Transistor ist ein Halbleitergerät, bei dem der Stromfluss zwischen zwei Anschlüssen (dem Kollektor und dem Emitter) durch die Strommenge gesteuert wird, die durch einen dritten Anschluss (die Basis) fließt.

Ein Bipolar-Junction-Transistor kann für analoge Schaltkreise verwendet werden, insbesondere für Anwendungen mit sehr hohen Frequenzen, beispielsweise Hochfrequenzschaltkreise für drahtlose Systeme. Bipolartransistoren können mithilfe eines BiCMOS-Prozesses mit MOSFETs in einem integrierten Schaltkreis kombiniert werden, um innovative Schaltkreise zu schaffen, die die besten Eigenschaften beider Transistortypen nutzen.
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